光电耦合器型号(FOD3120,TLP350,TLP250)介绍应用实例精讲

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光电耦合器型号(FOD3120,TLP350,TLP250)介绍应用实例精讲

作者: 发布时间:2018/8/13 来源:光耦网 浏览量:58 相关关键词: 光耦

FOD3120,TLP350,TLP250这三款是用来进行IGBT栅级驱动和POWERMOSFET栅极驱动的8PINDIP封装的光电耦合器,其中FOD3120,TLP350的输出峰值电流IO=±2.5A(max),TLP250的输出峰值电流IO=±1.5A(max.),因此他们非常合适用来驱动1200V/(20-100)A的IGBT,由于IGBT在直流和交流无刷电机驱动器,逆变器,UPS,开关电源,变频器等方面的广泛应用,因此IGBT驱动光耦同样可以应用在这些产品上。

由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离,利用光电耦合器进行隔离,具有体积小、成本低、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制等优点。

应用实例精讲 (1).jpg应用实例精讲 (1).png应用实例精讲 (2).png


一些基本参数

输入电流IF=5mA

电源电压VCC=15to30V

电源电流ICC=2mA(TLP250ICC=11mA)

延迟时间tpLH/tpHL=500ns(max)


动作过程

应用实例精讲 (2).jpg

当IF输入H时,Tr1导通,Tr2截止,因此VO=Vcc–Vtr1=H

此时Io的电流向外,基于此点,故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT,无需外接电路

当IF输入L时,Tr1截止,Tr2导通,此时VO=Vgnd+Vtr2=L

此时如果IGBT栅极上有残存的电荷,可通过Tr2到GND进行放电,关闭IGBT

逻辑关系如下

应用实例精讲 (3).jpg

注意事项

1.为了保证电压的稳定,防止电压突变损坏IGBT,需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。

2.IGBT大多是工作于感性负载状态,当其处于关断状态,反并二极管正在反向恢复过程时,就会有很大的dv/dt加于CE两端,由于米勒电容的存在,I=C*du/dt,将会产生瞬间电流流向驱动电路,与栅极电阻作用,将产生电压,此电压若超过IGBT栅极开启电压,则会造成IGBT误触发导通,因此提供负偏压-Vge能有效防止误触发,建议VE接负压。

3.通常情况下,如果VGE过高,一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,容易损坏IGBT,因此综上所述,实际工作时,建议VCC=+15V,VEE=-15V


使用实例

在整流电路中的应用

应用实例精讲 (4).jpg



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