双向可控硅晶片光耦(TLP160J ,TLP260J ,TLP525G)基本原理及应用实例

欢迎来到光耦网! | 免费注册

主页 > 行业资讯 > 双向可控硅晶片光耦(TLP160J ,TLP260J ,TLP525G)基本原理及应用实例

双向可控硅晶片光耦(TLP160J ,TLP260J ,TLP525G)基本原理及应用实例

作者: 发布时间:2018/8/13 来源:光耦网 浏览量:162 相关关键词: 双向 可控硅 光耦 原理 TLP

TLP160J,TLP260J,TLP525G是输出端采用双向可控硅晶片的光耦,此3款光耦采用的是非过零触发导通形式,因此应用在交流电的情况下,在交流电的任意相位,只要收到输入的的触发信号,输出端就会开始导通,故可以改变交流电的导通角。

TLP160JTLP260J,采用的是SOP-4的小封装,而TLP525则是采用DIP-4的封装,因此他们比传统的DIP-6体积更小,能有效的节省PCB空间,减小客户产品尺寸,产品尺寸小了,但耐压能力却没有缩水,TLP525G耐压达到400V,而TLP160J,TLP260J耐压更是达到600V。

双向可控硅晶片光耦 (1).png双向可控硅晶片光耦 (2).png双向可控硅晶片光耦 (3).png

双向可控硅晶片光耦 (4).png


双向可控硅晶片光耦 (1).jpg

从他的基本原理图可以看出,输入端为一个LED,一般为940nm的红外线LED,而输出端为一个双向可控硅,门极由光电模块取代,因此,双向可控硅的导通,由LED进行控制。

双向可控硅晶片光耦 (3).jpg

可控硅的I/V曲线如下图所示,图中横轴为电压,纵轴为电流,横轴最远的地方为他的耐压值VDRM,就算IF不给他信号,如果他的电压超过VDEM,可控硅照样会导通,IF的作用是降低VDRM的值。值得要注意的是,IFT实际上表达的意思是使VDRM将到3V以下的电流值。

因此当我们给LED一定电流时,可控硅的VDRM会降低,比如本来耐压是600V,而现在可能变成100V,如果可控硅两端的电压是220V,就算此时IF的电流并未达到IFT的值,光耦的输出端照样会被导通。所以在使用可控硅输出光耦时,当输出端两端的电压越是大时,尤其要注意防止输入端的杂讯,防止因为杂讯的出现造成在不需要的时候导通。

应用实例

可使用双向可控硅光耦去控制双向可控硅的导通,用以驱动电机,灯源等负载,并且可实现调速调光等功能。在控制与驱动领域,双向可控硅光耦应用非常广泛。

双向可控硅晶片光耦 (2).jpg



光耦网.png

行业资讯

产品索引 :