MOSFET，全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，采用的材料通常以硅为首选。MOSFET依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型。
MOSFET的优点是高频特性十分优秀（MOSFET可以工作到几百KHZ至几十MHZ,射频领域的产品），驱动简单(电压型驱动)，抗击穿性强(没有雪崩效应)。缺点是高耐压化之后功率损失激增，原因是耐高压的器件，导通电阻大，在高压大电流场合功耗较大。
对于MOSFET来说,仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应,因此,很容易实现极短的开关时间。RMOSFET的高频特性十分优秀，所以MOSFET可用于较高频率的场合。在低电源电压下动作时之功率损失远低于以往的组件，但是问题在于高压的"开"状态下的源漏电阻很高(压降高),而且随着器件的电压等级迅速增长（耐压越高导通电阻越大)。因而其传导损耗就很高,特别在高功率应用时,很受限制。
IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构。在原理上是MOS推动的P型BJT，多的这个P层因内有载流子有电导调制作用，可以使IGBT在高电压和电流下有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压，但由于载流子存在，IGBT关断时电流会拖尾，关断速度会减低。
IGBT优点是驱动简单，导通压降小，耐压高，功率可以达到5000W。缺点是开关频率最大40—50KHz，开关损耗大而且有擎拄效应。
和MOSFET有所不同,IGBT器件中少子也参与了导电,IGBT是采用MOS结构的双极器件，导通电阻小且高耐压,因而可大大降低导通压降。但另一方面,存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗、延迟时间、以及在关断时引发集电极拖尾电流等问题。同时存在的电流尾巴和较高的IGBT集电极到发射极电压将产生关闭开关损耗。这样就限制了IGBT的上限频率。
由此可知，IGBT适用于高功率和高压的场合,但是因为电流尾巴的原因,频率范围受限,开关损耗也很明显。因此，IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域。MOSFET关闭时电流下降速度快,可用于较高频率范围内,但由于开通漏电阻高,在较高的电压等级下,导致的开通损耗显著,不适用于高功率电路中。因此，MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域。
常用的IGBT/MOSFET栅极驱动光耦有AVAGO的HCPL-3120、ACPL-T350、HCPL-316J、ACPL-332J等。
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