- 技术参数
| 数据列表 | SPA11N80C3; |
| 标准包装 | 500 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 450 毫欧 @ 7.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 680µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 85nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1600pF @ 100V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 34W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 数据手册 | |
|---|---|
| SPA11N80C3.pdf | |
- 商品描述
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