在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？本文详细阐述了区别...

IGBT驱动光耦的米勒钳位和有源钳位都是IGBT中极其重要的功能，常见的带有源米勒钳位特征的型号有AVAGO的ACPL-331J,ACPL-332J等IGBT栅极驱动光耦。

MOSFET，全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，采用的材料通常以硅为首选。MOSFET依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型。

目前市场涉及到的大功率电源产品，往往主回路采用了整流加逆变的设计，其中逆变的核心就是IGBT。IGBT作为主回路的功率开关管，需要实时监测IGBT电压，电流及温度等，这样能保证IGBT的在工作过程中，不易出现损坏情况。温度检测可以通过NTC电阻来实现，电流可以通过采样电阻或者霍尔来进行检测。电压检测可以用IGBT本身在出现退饱和的情况下，利用Vce电压变化来实现，但这需要带保护的驱动芯片来实现该功能，RENESAS推出的带IGBT保护的门极驱动光耦PS9402可以实现该功能。

光耦是一种采用光—电—光的信号传输的隔离器。光耦的分类有很多，有以输出作分类的，如晶体管输出，可控硅输出；也有以输入作分类的，如直流或交流输入光耦等等。本文小编就带大家了解高速光耦、IGBT驱动光耦、IPM驱动光耦这三类光耦及其特点。

HCPL-316J是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路，为驱动电路的可靠工作提供了保障。

东芝公司(Toshiba Corporation)推出的采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。

安森美将推出基于SiC的混合IGBT门极驱动器AFGHL50T65SQDC和隔离型大电流IGBT驱动器NCD(V)57000系列。

近年来，IGBT被广泛关注，随着技术的发展，其应用前景被广泛看好，作为国家战略性新兴产业IGBT，在很多领域应用广泛。

近日，国内某知名的新能源车企举行它们的新车发布会，会上它们将自主研发IGBT技术列入核心竞争力。为何IGBT如此重要，让企业将其列为核心竞争力，目前IGBT国产化面临的难题有哪些？