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2025 英飞凌 战略升维:从功率芯片到 AI 的多维突破来源:光耦网 发布日期:2025/8/14 点击:168
2025 年,英飞凌动作不断。在功率芯片上,推出超薄硅晶圆与 300mm 氮化镓晶圆,降低能耗、提升产出;AI 布局方面,相关营收将破 6 亿,携手 NVIDIA 开拓 AI 服务器电源架构 。
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ACPL-P302-500E来源:光耦网 发布日期:2025/8/13 点击:83
ACPL-P302-500E 是 Broadcom 公司的逻辑输出光电耦合器,具备 3750V 隔离电压,采用SOP6封装,工作温度范围为 - 40°C 至 100°C。
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ACPL-W454-560E来源:光耦网 发布日期:2025/7/7 点击:89
ACPL-W454-560E 是博通单通道光耦,晶体管输出,隔离电压 5000Vrms,用于工业自动化、医疗等领域,可隔离信号、抗干扰。
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东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率来源:东芝半导体 发布日期:2021/3/12 点击:221
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)3月11日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,开始批量出货。
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数字隔离器件在功率计量芯片中的应用来源:CSDN博客 发布日期:2021/1/7 点击:610
数字隔离技术常用于工业网络环境的现场总线、军用电子系统和航空航天电子设备中,尤其是一些应用环境比较恶劣的场合。数字隔离电路主要用于数字信号和开关量信号的传输。使用隔离电路的一个首要原因是为了消除噪声。另一个重要原因是保护器件(或人)免受高电压的危害。厂商的产品手册中所列出的隔离等级(isolation rating)应符合美国保险商实验室 (UL 1577)、国际电工委员会 (IEC 60747-5-2、IEC 61010-1)以及加拿大标准协会 (CSA Component Acceptance Notice 5A) 制定的有关隔离器标准。
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高功率电源应用中需要怎样的隔离驱动?来源:纳芯微官网 发布日期:2020/11/27 点击:303
在电源与充电桩等高功率应用中,通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化,如足够的驱动电流和驱动保护功能等,而且直接用微控制器来驱动,会导致功耗过大等弊端。
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你是否有很多问号,高功率电源中需要怎样的隔离驱动?来源:纳芯微 发布日期:2020/11/20 点击:284
在电源与充电桩等高功率应用中,通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化,如足够的驱动电流和驱动保护功能等,而且直接用微控制器来驱动,会导致功耗过大等弊端。
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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧八大问来源: 发布日期:2018/11/21 点击:272
IGBT,PowerMOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
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集优化功率控制和简化应用于一体的新一代步进电机驱动器来源: 发布日期:2018/8/23 点击:304
尖端的stealthChop(TM)技术有效消除电机低速运行的噪音。TMC2208-LA和TMC2224-LA内含集成的MOSFET和优化的功率控制器,可实现最高均值1.2A、无噪音、正弦波的相电流控制。
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