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将ADM2582E/ADM2587ERS-485/RS-422收发器辐射降至最低的PCB应用指南

作者:光耦网 发布时间:2024/2/28 来源:光耦网 浏览量:1038 相关关键词: ADM2582E ADM2587ERS-485 辐射降至最低的PCB应用指南

将ADM2582E/ADM2587ERS-485/RS-422收发器辐射降至最低的PCB应用指南

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Analog Devices,Inc。(简称ADI)是全球领先的高性能模拟技术公司,致力于解决最艰巨的工程设计挑战。凭借杰出的检测,测量,连接和解译技术,搭建连接世界和数字世界的智能化桥梁,从而帮助客户重新认识周围的世界。

光耦网guangoumall.com综合ADI原厂,ADI代理商以及终端厂商的反馈,发现ADI正在加速原厂直供,取消代理商的速度,部分工厂反馈已经无法从代理商获得所需的ADI器件。根据半导体大厂TI/德州仪器采用“原厂直供”对器件供应链所造成的影响,相信很多中小型工厂将很难获得原厂的高效服务,以及器件的正常供应。

光耦网guangoumall.com长期致力于为中小企业提供应用方案优化以及电子元器件现货供应的分销商,我们期待发挥30年来对ADI产品的深度了解,从产品的应用/供应/价格/库存为您提供全方位的介绍,希望对您有帮助和借鉴意义。


本文推荐的料号是接口芯片ADM2587E



隔离式接口芯片

特点

·隔离式RS-485/RS-422收发器,可配置为半双工或全双工

·isoPower集成隔离式dc-to-dc转换器

·RS-485输入/输出引脚上的15 kV ESD保护

·符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和is 0 8482:1987(E)标准 

·ADM2582E数据速率:16 Mbps 

·ADM2587E数据速率:500 kbps 

·5 V或3.3 V电源供电

·一条总线上最多可连接256个节点 

·开路和短路、故障保护接收器输入 

·高共模瞬变抗扰度:>25 kV/us 

·热关断保护 

·安全和监管认证

UL认证:每UL 1577 1分钟2500 V rms 

VDE合格证书:

DIN EN 60747-5-2(VDE 0884第2部分):2003-01

 VIoRM = 560 V

·峰值 工作温度范围:–40℃至+85 ℃

·高度集成的20引脚宽体SOIC封装


应用简介


ADM2582E/ADM2587E是完全集成的信号和功率隔离RS-485/RS-422收发器。信号隔离利用ADI公司的iCoupler数字隔离技术实现。ADM2582E/ADM2587E还包括一个集成高压隔离DC/DC电源,其采用ADI公司的isoPower*技术实现。因此,器件不需要外部DC/DC隔离模块。电源变压器是所有隔离电源的关健组件。isoPower集成变压器以180 MHz到400 MHz的开关频率工作。隔离在印刷电路板(PCB)上实现,分离的参考层由物理隔离间隙隔开。由于PCB布局上有隔离间隙,不需要的电流环路可能会产生辐射。在PCB布局期间遵守一些基本电磁抑制原则和概念,可以减轻辐射。

在工业和仪器仪表应用中,存在多个关于辐射的标准。适当的PCB设计和布局选择,可使ADM2582E/ADM2587E器件轻松满足工业环境常用的EN55022/CISPR22A类(FCC A类)辐射标准。如果考虑周详,这些产品甚至能满足非屏蔽环境下的EN55022/CISPR22 B类(FCC B类)标准。

本应用笔记讨论通过一些特定布局选项和元件选择来达到这些辐射标准。本应用笔记还提供了PCB布局具体信息及其在一个全面认证的10m半波暗室中的实测结果,结论是器件达到了EN55022/CISPRA类(FCCA类)和EN55022/CISPRB类(FCC B类)辐射要求。


PCB建议总结

为了通过EN55022/CISPR22 A类(FCCA类)认证,建议遵循以下指导原则:

1、确保PCB上有良好的去耦(采用ADM2582E/ADM2587E数据手册中的推荐去耦措施)。

2、请勿将Voou引脚连接到电源层(应利用PCB走线连接在Vsoom和Vso之间)。

3、在PCB走线连接和以下IC引脚之间放置铁氧体磁珠:

VISOOUT(引脚12) 

GND2(引脚11和引脚14)

对于需要满足更严格的EN55022/CISPR22 B类(FCC B类)辐射标准的应用,必须采用额外的抑制技术(隔离栅上拼接电容)实施上述建议。可使用以下两种方法中的一种来产生拼接电容:

1、利用PCB内层,在GND1和GND2(引脚11和引脚14)之间形成一个嵌入式拼接电容

2、在GND1(引脚10)和GND2(引脚11)之间连接一个高压分立电容


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图1.将辐射降至最低的建议PCB布局和元件放置



辐射抑制建议

在PCB设计/布局期间遵循一些基本原则,对于减轻辐射是很重要的。短时间内切换大电流会产生电磁辐射,引起很大的di/dt噪声。辐射水平取决于电流路径的环路面积,因为电流环路面积越大,辐射越强。这些指导原则从源头上控制辐射,zuì大程度地缩小电流路径的环路面积。


VCC去耦

去耦电容主要有两个作用:

去耦电容用作电荷储存器件。当IC切换状态并需要更多电流时,本地去耦电容通过低电感路径提供此电流。

去耦电容降低注入PCB各层的噪声,抑制系统中的高频噪声。在以下情况下可能产生注入噪声源:V~引脚的电压供应暂时降低,直至提供充足的电流。


提高特定IC引脚和PCB走线连接之间的阻抗

提高特定IC引脚和PCB走线连接之间对高频电流的阻抗可zuì大程度地降低电磁辐射水平。这种电磁抑制方法从源头上控制辐射信号,并使环路面积最小。其具体做法是在Vsoou(引脚12)和GND,(引脚11和引脚14)上串联放置表贴铁氧体磁珠。在100 MHz到1GHz频率范围内,选择的铁氧体磁珠阻抗大于2kΩ。测量数据利用表1(添加联系方式获得)所示的铁氧体磁珠获得。


降低GND1和GND2之间隔离栅上高频电流的阻抗

为了实现EN55022/CISPR22 B类(FCCB类)认证,需要采用一种在隔离栅上拼接电容的抑制技术来进一步降低辐射水平。

由于PCB上形成了隔离间隙,不需要的接地电流环路可能导致辐射增加。为了产生隔离电源,变压器在隔离栅上切换电流。理想情况下,仅原边的变压器驱动器差分电流通过磁耦合越过隔离栅。然而,寄生电流也会通过容性耦合越过隔离栅,这是变压器的固有问题。一旦到达副边,这些寄生电流就会寻找一条返回路径以回到原边的源端。没有物理连接可供这些电流跨过隔离间隙。这些高频电流在Vsoou和GND,引脚上成为副边共模电流。由于无法跨过隔离栅返回,这些高频电流会产生辐射。


除去上述所处理方式,还有一下处理方式和需要注意的点

跨步电容(寄生电容)

高压、满足安规的分立电容

嵌入式PCB拼接电容(寄生电容)

交叠式拼接结构

浮动式拼接结构

如果要达到EN55022要求,还需要额外设计,并暗房测试。有需要设计参考资料,可添加联系方式获得。


光耦网guangoumall根据ADI官方以及各个专业平台的搜索和库存数据(参考一下列表),发现ADM2483的市场价格在25.7元/pcs,而光耦网的价格稳定在23.4/pcs左右。库存量在减少,也就意味着供应会偏紧,价格相应也会涨价,请大家多关注。

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