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本方案描述了如何为三相交流400V输入PFC转换器(这个电源)设计各种电路。请参考方案了解这个电源的规格、用途和特性数据。如果零件编号在电路图中有指示,但是在材料清单中标注为“未装载”(NC),不安装在PCB上。PCB上提供的装配位置,是用于电路设计时的恒定值调整。

实物图

简易框图

效率曲线

注意事项:(电击、烧伤等伤害)
在连接电源时要小心电击,在电源打开时不要触摸电源的任何部分。观察波形时要非常小心。即使这个电源停止了,由于剩余的电容电荷,仍然存在电击的风险。确认各个部分的电压已经足够降低后再触摸电路板。此外,由于这个电源根据负载电流产生热量,因此在电源运行时不要触摸电源的各个部分,可能有烧伤的风险。

这些应用都依赖于电源的高效率和可靠性,PFC转换器能够提供这些需求,确保系统稳定运行并降低能耗。
| 器件型号 | 器件目录 | 搭载部位.数量 | 说明 |
| TW070J120B | 功率SiC MOSFET | 主开关・6 | N沟道SiC MOSFET,1200V,0.07Ω(典型值)@20V,TO-3P(N),第2代 |
| TLP7920 | 隔离放大器 | 电压检测・3 | 光耦(隔离放大器),模拟输出,5000Vrms,DIP8 |
| TLP5214A | 智能栅极驱动IC | 栅极驱动・6 | 光耦(光电IC输出)、IGBT驱动IC,IOP=+/-4.0A,5000Vrms,SO16L |
交流线路电路设计

交流线路电路设计
下图展示了U相下臂的典型门控驱动电路。门控驱动电路的设计会影响电源效率和EMI噪声。通常,电源效率和EMI噪声之间存在权衡关系,因此需要以平衡的方式设计两者。这个电源的门控驱动电路可以调整MOSFET的开关速度,如果你需要在MOSFET开启时减少噪声,改变门串联电阻(R48)到一个大值可能会减少EMI噪声。请注意,如果门串联电阻改为大值,不仅MOSFET的开启速度会减慢,而且关闭速度也会减慢,这可能导致电源效率的恶化。仅应增加MOSFET关闭速度,以减少在这种情况下电源效率降低。改变门串联电阻(R46)为小值可能只会增加MOSFET的关闭速度,并减少系统的电源效率降低。当改变门串联电阻时,必须确认EMI噪声、电源效率性能和热散性能是否满足系统要求。

U相下臂的典型门控驱动电路
的典型门控驱动电路,当下臂关闭且上臂打开时,中间电位急剧上升,并且通过下臂MOSFET的漏极-栅极间镜像电容产生位移电流,流向智能门控驱动器的VOU端子(IC8)。当这个位移电流通过电路的栅极电阻时,会产生电压降,并且当栅极电压上升时,下臂可能会错误地被打开,导致上臂和下臂短路。通过使用一个齐纳二极管的负偏置电路,当下臂关闭时,栅极电压变为负值,从而防止错误开启。这个电源使用一个2V的齐纳二极管来制作一个2V的负偏置电路。
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