IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性， 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。

IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）

IGBT，PowerMOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。

本来测试IGBT驱动光耦是要看他输出的电平变化随输入端电流的变化，但在实际确认时发现，有部分NG的光耦的输出逻辑依然随输入端正常变化，因此不能准确判断其是否NG，但是发现一般NG的光耦他开启和关闭时的电压电流ICCH和ICCL基本上都会上升，不满足厂商规格书上的额定值，因此可通过观测他的ICCH和ICCL开进行简单判断，然后再进行逻辑确认。

IGBT逆变焊机与其他类焊机的区别一、与可控硅整流焊机的区别:1、可控硅整流焊机是将50HZ的交流电整流成直流电输出，通过改变可控硅的导通角来改变输出大小，输出波形不平滑，所以焊接效果不好，引弧及其他一些控制功能差。IGBT焊机是将交流电整流后，经过IGBT逆变，再经中频变压器降压，经过二次整流后输出，输出波形好，通过脉宽调制控制IGBT逆变器的导通时间改变输出的大小。引弧及推力电流易于控制。2、可控硅整流焊机体积大，较为笨重，不便于搬...

关键词：IGBT，IGBT驱动光耦，小体积IGBT驱动光耦FOD8320/1是仙童的一款IGBT驱动光耦，输出电流能达到2.5A,由于采用了SO5L封装，因此它具有和DIP封装的光耦一样，达到5000VRMS的隔离能力，因为其具有10mm以上的爬电距离，并且采用了平面式的封装技术。通常状况下为了缩小产品体积，一般采用SOP封装，但其隔离能力为3750VRMS，这对于一些要求较高的安规可能比较难过，因此只得选用DIP封装FOD3120，F...