TOSHIBA600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品线东芝扩大了其600 V N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线，该系列产品采用东芝最新一代工艺[1]制造而成，具有超结结构。这些新产品适用于数据中心所使用的高效开关电源和光伏发电机的功率调节器。利用不同的封装和漏源导通电阻，该产品线增加了“TK40N60Z1、TK080N60Z1、TK080A60Z1、TK085V60Z1、 TK125N60Z1、TK125A60...

使用SiCMOSFET的三相逆变器开发方案光耦网专业的开发团队，为您定制工业电子应用方案！三相逆变器用于驱动工业应用中使用的感应和同步电机。在AC400V输出时，通常会将具有1200V耐压的IGBT作为传统的开关装置。然而，近年来开发的基于碳化硅（碳化硅）的碳化硅MOSFET，与传统的MOSFET相比，可以在降低开启电阻的同时保持更高的击穿电压。为了提高逆变器效率，采用了1200V碳化硅MOSFET，并研究了取代1200VIGBT器件的...

采用MOSFET的三相多电平逆变器开发方案光耦网专业的开发团队，为您定制工业电子应用方案！采用MOSFET的三相多电平逆变器是一种先进的逆变器技术，可以将直流电源转换为高效的交流电源。方案简介在设计MOSFET逆变器时，需要考虑以下因素：1.电路拓扑结构：采用哪种电路拓扑结构，如正弦波变换器、交流-直流-交流变换器等，需要根据具体的应用场景进行选择。2.MOSFET选型：需要根据电路的工作电压、电流和功率等参数，选择合适的MOSFET器...

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线，已开始量产两款采用SOP Advance(WF)封装的产品： XPH8R316MC和XPH13016MC。新产品XPH8R316MC和XPH13016MC已通过AEC-Q101汽车可靠性标准认证。SOP Advance(WF)封装是一种采用可焊锡侧翼引脚结构的表贴式封装。这种封装方式不仅便于对电路板安装状态进行自动外观检查，还通过采用铜连接器...

随着当地疫情的扩大，马来西亚劳动力短缺，当地芯片行业人力缺口更高达1.5万人，厂商被迫停接新订单，MOSET等功率半导体供应更加吃紧。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，基本上，功率半导体大致可分为功率离散元件与功率积体电路二大类，功率离散元件产品包括 MOSFET、二极管，及 IGBT，当中又以 MOSFET 与 IGBT 最为重要...

在多重因素为全球MOSFET供应添“变数”的背景下，本文重点讲述MOSFET供应现状如何？并在文末列出了国内外主要MOSFET供应商名单...

什么是MOSFETMOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

MOSFET，全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，采用的材料通常以硅为首选。MOSFET依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型。

东芝公司(Toshiba Corporation)推出的采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。