东芝TLP2362 是由高输出红外LED和集成的高增益高速光电检测器组成。它采用SO6封装, 具有内部法拉第屏蔽特性，可提供±20 kV / µs的保证共模瞬变抗扰度，可以在高达125℃的温度下以及2.7 V至5.5 V的电源下工作。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已面向建筑自动化系统、安防设备和半导体测试器等工厂自动化和其他工业应用推出新型光继电器“TLP3122A”。

光电隔离模块TLP521-4(GB)是一款具有完整基极一发射极的性能优良的固定延时光电耦合器，它具有最优转换速度、高温性能等特点。

TLP785主要应用：开关电源，办公设备，家用电器，固态继电器，智能家居，信号传输单元

TLP250，TLP350，HCPL3120，FOD3120等低成本IGBT驱动光耦，在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。

什么叫深度饱和状态？ 光耦的Vce刚刚=0.2V的时候，可以认为是进入了饱和的状态；把这个时候的Ib提高到2倍，那么，肯定是进入了饱和的状态，至于是不是深度饱和，要看对深度饱和的定义；我认为，n=3就可以看作是深度饱和了。

普通晶体管输出光耦817系列无法比拟的优势，更小的体积，高达300V的集电极-发射极崩溃电压BVceo,高达1000%以上的CTR让他有了一定的放大能力，最高可输出150mA的电流Ic使他具被了较强的驱动和隔离能力。

TLP160J，TLP260J，TLP525G是输出端采用双向可控硅晶片的光耦，此3款光耦采用的是非过零触发导通形式，因此应用在交流电的情况下，在交流电的任意相位，只要收到输入的的触发信号，输出端就会开始导通，故可以改变交流电的导通角。

在RS-485的接口电路中，为了防止上位机和下位机的之间互相的干扰，采用光电隔离器件是一种简单而有效的方法。

功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，利用光电耦合器进行隔离，具有体积小、成本低、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制等优点。