TOSHIBA600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品线东芝扩大了其600 V N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线，该系列产品采用东芝最新一代工艺[1]制造而成，具有超结结构。这些新产品适用于数据中心所使用的高效开关电源和光伏发电机的功率调节器。利用不同的封装和漏源导通电阻，该产品线增加了“TK40N60Z1、TK080N60Z1、TK080A60Z1、TK085V60Z1、 TK125N60Z1、TK125A60...

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款双极晶体管“TTA2060”和“TTC5712”（采用SC-62封装：东芝别名PW-Mini）。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。TTA2060的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流（直流）为-50V/-2A；TTC5712的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流为50V/3A。新产品采用小型表贴式SC-62封装（东芝别...

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线，已开始量产两款采用SOP Advance(WF)封装的产品： XPH8R316MC和XPH13016MC。新产品XPH8R316MC和XPH13016MC已通过AEC-Q101汽车可靠性标准认证。SOP Advance(WF)封装是一种采用可焊锡侧翼引脚结构的表贴式封装。这种封装方式不仅便于对电路板安装状态进行自动外观检查，还通过采用铜连接器...

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”，这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极电压（VDS）[1]或集电极-发射极电压（VCE）[2]。内置的过流检测与保护功能可检测出功率器件中因过流导致的任何VDS或VC...

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用（如工业设备的可编程逻辑控制器）中使用的感性负载的驱动。高边开关（8通道）“TPD2015FN”和低边开关（8通道）新产品使用东芝的模拟器件整合工艺（BiCD）[1]，实现0.4Ω（典型值）的导通电阻，比东芝现有产品[2]低50%以上。TPD2015FN和TPD2017FN均采用S...

TLP3476S适用于继电器数量多，并需要更短开关时间的半导体测试设备电路

最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。

“日本半导体的全球份额到2030年将减为零”。这个看起来耸人听闻的预测是日本经济产业省在2021年6月发布的会议资料《半导体战略（概略）》中的内容，也是其对日本半导体行业敲响的警钟。与此形成鲜明对比的是日本半导体在1980年代的繁荣盛况。

光耦网由内部渠道知悉，东芝目前已向各大代理供应商渠道通知，部分功率半导体将从今年十月份起现有价格上调25%。

北京时间8月9日晚，美国总统拜登正式签署《2022年芯片与科学法案》（以下称“芯片法案”），使之正式成法生效，该法案总额达2800亿美元，包括拨款520亿美元用于支持电脑芯片制造公司等。但最值得我们注意的是，该法案规定，接受联邦补贴的公司在未来十年内将被限制在中国或任何其他令其担忧的外国进行任何“重大交易”，其中明确指出禁止受益公司10年内在中国扩大生产和投资比28纳米更先进的芯片。尽管 28 纳米芯片比目前世界上最领先的芯片落后几代，...